SI7652DP-T1-GE3

SI7652DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 15.0 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI7652DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7652DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 15A, SOIC

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