STMICROELECTRONICS SD2931-10W 晶体管, 射频FET, 125 V, 20 A, 389 W, 230 MHz, M174
射频 MOSFET ,STMicroelectronics
射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
欧时:
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得捷:
IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
e络盟:
晶体管, 射频FET, 125 V, 20 A, 389 W, 230 MHz, M174
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 125V 20A 4-Pin Case M-174 Loose
安富利:
Trans MOSFET N-CH 125V 20A 4-Pin M174 Tray
Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 125V 20A 4-Pin Case M-174 Tray
Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 125V 20A 4-Pin Case M-174 Loose
Newark:
# STMICROELECTRONICS SD2931-10W RF FET Transistor, 125 V, 20 A, 389 W, 230 MHz, M174
DeviceMart:
IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174
频率 175 MHz
额定电流 20 A
针脚数 4
耗散功率 389 W
漏源极电压Vds 125 V
输出功率 150 mW
增益 15 dB
测试电流 250 mA
输入电容Ciss 480pF @50VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 389000 mW
额定电压 125 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 M-174
长度 26.67 mm
宽度 24.89 mm
高度 4.11 mm
封装 M-174
工作温度 -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 工业, Power Management, Industrial, 射频通信, RF Communications, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SD2931-10W ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
SD2931-10 意法半导体 | 类似代替 | SD2931-10W和SD2931-10的区别 |