SD2931-10W

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SD2931-10W概述

STMICROELECTRONICS  SD2931-10W  晶体管, 射频FET, 125 V, 20 A, 389 W, 230 MHz, M174

射频 MOSFET ,STMicroelectronics

射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。

### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


欧时:
### 射频 MOSFET 晶体管,STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


得捷:
IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz


e络盟:
晶体管, 射频FET, 125 V, 20 A, 389 W, 230 MHz, M174


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 125V 20A 4-Pin Case M-174 Loose


安富利:
Trans MOSFET N-CH 125V 20A 4-Pin M174 Tray


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 125V 20A 4-Pin Case M-174 Tray


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 125V 20A 4-Pin Case M-174 Loose


Newark:
# STMICROELECTRONICS  SD2931-10W  RF FET Transistor, 125 V, 20 A, 389 W, 230 MHz, M174


DeviceMart:
IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174


SD2931-10W中文资料参数规格
技术参数

频率 175 MHz

额定电流 20 A

针脚数 4

耗散功率 389 W

漏源极电压Vds 125 V

输出功率 150 mW

增益 15 dB

测试电流 250 mA

输入电容Ciss 480pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 389000 mW

额定电压 125 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 M-174

外形尺寸

长度 26.67 mm

宽度 24.89 mm

高度 4.11 mm

封装 M-174

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 工业, Power Management, Industrial, 射频通信, RF Communications, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SD2931-10W
型号: SD2931-10W
描述:STMICROELECTRONICS  SD2931-10W  晶体管, 射频FET, 125 V, 20 A, 389 W, 230 MHz, M174
替代型号SD2931-10W
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