SI1000-E-GM2R参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1000-E-GM2R概述

射频微控制器 - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR

IC RF TxRx + MCU 通用 ISM < 1GHz EZRadioPro 240MHz ~ 960MHz 42-VFLGA 裸露焊盘

得捷:
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA

贸泽:
射频微控制器 - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR

艾睿:
MCU 8-bit 80C51 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R

安富利:
MCU 8-bit Si100x 8051 CISC 64KB Flash 1.9V/2.4V 42-Pin LGA T/R

SI1000-E-GM2R中文资料参数规格

技术参数

频率 240MHz ~ 960MHz

RAM大小 4.25 KB

输出功率 20 dBm

模数转换数ADC 1

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 42

封装 VFLGA-42

外形尺寸

封装 VFLGA-42

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1000-E-GM2R

型号： SI1000-E-GM2R

描述：射频微控制器 - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR

替代型号SI1000-E-GM2R

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI1000-E-GM2R Silicon Labs 芯科	当前型号	当前型号
SI1000-E-GM2 芯科	完全替代	SI1000-E-GM2R和SI1000-E-GM2的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI1000-E-GM2R

Silicon Labs 芯科

当前型号

SI1000-E-GM2

芯科

完全替代