SM8A27HE3/2D

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SM8A27HE3/2D概述

PAR® 瞬态电压抑制器表面安装单向 6600W,SM8A 和 SM8S 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor

Surface Mount PAR® Transient Voltage Suppressors

High Temperature Stability and High Reliability Conditions

FEATURES

• Junction passivation optimized design passivated anisotropic rectifier technology

• TJ= 175 °C capability suitable for high reliability and automotive requirement

• Low leakage current

• Low forward voltage drop

• High surge capability

• Meets ISO7637-2 surge specification

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

Use in sensitive electronics protection against voltage transients induced by inductive load switching and lighting, especially for automotive loaddump protection application.

SM8A27HE3/2D中文资料参数规格
技术参数

工作电压 22 V

击穿电压 24 V

电路数 1

钳位电压 40 V

测试电流 10 mA

最大反向击穿电压 30 V

脉冲峰值功率 6600 W

最小反向击穿电压 24 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 175℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-218AB-2

外形尺寸

长度 13.7 mm

宽度 8.7 mm

高度 4.6 mm

封装 DO-218AB-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SM8A27HE3/2D
型号: SM8A27HE3/2D
描述:PAR® 瞬态电压抑制器表面安装单向 6600W,SM8A 和 SM8S 系列,Vishay Semiconductor ### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor
替代型号SM8A27HE3/2D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SM8A27HE3/2D

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

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