STGB10NB40LZT4

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STGB10NB40LZT4概述

N-沟道 440 V 20 A 表面贴装 内部钳位 PowerMESH IGBT - D2PAK

IGBT - 440 V 20 A 150 W 表面贴装型 D2PAK


得捷:
IGBT 440V 20A 150W D2PAK


贸泽:
IGBT Transistors N-Ch Clamped 20 Amp


艾睿:
This STGB10NB40LZT4 IGBT transistor from STMicroelectronics is perfect if your circuit contains high currents passing through it. Its maximum power dissipation is 150000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 380 V. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. It is made in a single configuration.


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 380V 20A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 380V 20A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 380V 20A 150000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DeviceMart:
IGBT N-CHAN 20A CLAMP D2PAK


STGB10NB40LZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 18.0 V

额定电流 20.0 A

耗散功率 150 W

输入电容 1300 pF

上升时间 270 ns

击穿电压集电极-发射极 440 V

热阻 62.5 ℃/W

额定功率Max 150 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGB10NB40LZT4
型号: STGB10NB40LZT4
描述:N-沟道 440 V 20 A 表面贴装 内部钳位 PowerMESH IGBT - D2PAK

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