STGB19NC60KT4

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STGB19NC60KT4概述

20 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

IGBT - 600 V 35 A 125 W 表面贴装型 D2PAK


得捷:
IGBT 600V 35A 125W D2PAK


贸泽:
IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
IGBT 600V 35A 125W D2PAK


STGB19NC60KT4中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 125 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 125 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGB19NC60KT4
型号: STGB19NC60KT4
描述:20 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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