STGD18N40LZ-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGD18N40LZ-1概述

EAS 180毫焦耳 - 400 V - 内部钳位IGBT EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

IGBT 420V 25A 125W Through Hole I-PAK

得捷:
IGBT 420V 25A 125W IPAK

贸泽:
IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 360V 25A Automotive 3-Pin3+Tab IPAK Tube

Win Source:
EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

STGD18N40LZ-1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 125000 mW

击穿电压集电极-发射极 420 V

额定功率Max 125 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.2 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGD18N40LZ-1

型号： STGD18N40LZ-1

描述：EAS 180毫焦耳 - 400 V - 内部钳位IGBT EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT