STGW35HF60W参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGW35HF60W概述

TO-247 35 V 600 V 超快

IGBT - 600 V 60 A 200 W 通孔 TO-247-3

得捷:
IGBT 600V 60A 200W TO247

贸泽:
IGBT Transistors Ultra Fast IGBT 35A 600V

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

富昌:
STGW35HF60W 系列 600 V 35 A 法兰安装超快 IGBT - TO-247

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

DeviceMart:
IGBT 35A 600V ULT FAST TO-247

Win Source:
IGBT 600V 60A 200W TO247

STGW35HF60W中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGW35HF60W

型号： STGW35HF60W

描述：TO-247 35 V 600 V 超快

替代型号STGW35HF60W

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STGW35HF60W ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
IGW30N60T 英飞凌	功能相似	STGW35HF60W和IGW30N60T的区别
FGH60N60UFDTU 飞兆/仙童	功能相似	STGW35HF60W和FGH60N60UFDTU的区别
IXGH32N60BU1 IXYS Semiconductor	功能相似	STGW35HF60W和IXGH32N60BU1的区别