STGB30NC60KT4参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGB30NC60KT4概述

30 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

IGBT - 600 V 60 A 185 W 表面贴装型 D2PAK

得捷:
IGBT 600V 60A 185W D2PAK

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

STGB30NC60KT4中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 185 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： STGB30NC60KT4

描述：30 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT