STGWT30H65FB

STGWT30H65FB图片1
STGWT30H65FB图片2
STGWT30H65FB图片3
STGWT30H65FB图片4
STGWT30H65FB图片5
STGWT30H65FB概述

HB 系列 650 V 30 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-3P

IGBT 沟槽型场截止 通孔 TO-3P


得捷:
IGBT 650V 30A 260W TO3PL


贸泽:
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-3P Tube


富昌:
HB 系列 650 V 30 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-3P


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


Win Source:
IGBT 650V 30A 260W TO3PL / IGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 260 W Through Hole TO-3P


STGWT30H65FB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 260 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 260 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 260000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGWT30H65FB
型号: STGWT30H65FB
描述:HB 系列 650 V 30 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-3P

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司