IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT 分立，STMicroelectronics
得捷:
IGBT 600V 40A 167W D2PAK
欧时:
STMicroelectronics IGBT, STGB20V60DF, 3引脚, D2PAK TO-263封装, Vce=600 V, 40 A, ±20V
贸泽:
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
艾睿:
This STGB20V60DF IGBT transistor from STMicroelectronics is perfect if your circuit contains high currents passing through it. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. It is made in a single configuration.
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
耗散功率 167 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 40 ns
额定功率Max 167 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 167 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99