IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT 分立，STMicroelectronics
得捷:
IGBT 600V 40A 52W TO-3PF
欧时:
### IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
贸泽:
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 52000mW 3-Pin3+Tab TO-3PF Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin TO-3PF Tube
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-3PF Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 52000mW 3-Pin3+Tab TO-3PF Tube