STGW20IH125DF

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STGW20IH125DF概述

沟槽场截止 259W 1.25kV 40A

You can use this IGBT transistor from STMicroelectronics as an electronic switch. It has a maximum collector emitter voltage of 1250 V. Its maximum power dissipation is 259000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.

STGW20IH125DF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 259000 mW

击穿电压集电极-发射极 1250 V

额定功率Max 259 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 259000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: STGW20IH125DF
描述:沟槽场截止 259W 1.25kV 40A

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