IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT 分立,STMicroelectronics
### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics
绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
得捷:
IGBT 600V 40A 37W TO220FP
欧时:
### IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
e络盟:
单晶体管, IGBT, 40 A, 1.6 V, 37 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 37000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin TO-220FP
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 37000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
针脚数 3
耗散功率 37 W
输入电容 2750 pF
击穿电压集电极-发射极 600 V
热阻 62.5 ℃/W
反向恢复时间 90 ns
额定功率Max 37 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 167 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99