STGF20H60DF

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STGF20H60DF概述

IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立,STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


得捷:
IGBT 600V 40A 37W TO220FP


欧时:
### IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


e络盟:
单晶体管, IGBT, 40 A, 1.6 V, 37 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 37000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin TO-220FP


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 37000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


STGF20H60DF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 37 W

输入电容 2750 pF

击穿电压集电极-发射极 600 V

热阻 62.5 ℃/W

反向恢复时间 90 ns

额定功率Max 37 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 167 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STGF20H60DF引脚图与封装图
STGF20H60DF封装焊盘图
在线购买STGF20H60DF
型号: STGF20H60DF
描述:IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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