STGW30V60DF

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STGW30V60DF概述

600V,60A,IGBT带二极管

IGBT 分立,STMicroelectronics


得捷:
IGBT 600V 60A 258W TO247


立创商城:
STGW30V60DF


欧时:
STMicroelectronics STGW30V60DF N沟道 IGBT, Vce=600 V, 30 A, 1MHz, 3引脚 TO-247封装


贸泽:
IGBT Transistors 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 181000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-247


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 181000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


儒卓力:
**IGBT 600V 30A 1,85V TO247-3 **


力源芯城:
600V,60A,IGBT带二极管


STGW30V60DF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 258 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 53 ns

额定功率Max 258 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 258 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGW30V60DF
型号: STGW30V60DF
描述:600V,60A,IGBT带二极管
替代型号STGW30V60DF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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