STGB20NB37LZ 系列 N沟道 425 V 20 A 内部钳位 PowerMESH IGBT-D2PAK
IGBT - 表面贴装型 D2PAK
得捷:
IGBT 425V 40A 200W D2PAK
贸泽:
IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 375V 40A 200000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 375V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
STGB 系列 425 Vce 40 A 2.3 us ton N 沟道 PowerMesh™ IGBT - TO-263
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 375V 40A 200000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 375V 40A 200000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**IGBT CLAMP 400V 20A 1,8V TO263 **
DeviceMart:
IGBT N-CH CLAMPED 20A D2PAK
Win Source:
IGBT 425V 40A 200W D2PAK
额定电流 20.0 A
耗散功率 200 W
连续漏极电流Ids 20.0 A
击穿电压集电极-发射极 425 V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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