STGB20NB37LZT4

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STGB20NB37LZT4概述

STGB20NB37LZ 系列 N沟道 425 V 20 A 内部钳位 PowerMESH IGBT-D2PAK

IGBT - 表面贴装型 D2PAK


得捷:
IGBT 425V 40A 200W D2PAK


贸泽:
IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 375V 40A 200000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 375V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
STGB 系列 425 Vce 40 A 2.3 us ton N 沟道 PowerMesh™ IGBT - TO-263


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 375V 40A 200000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 375V 40A 200000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**IGBT CLAMP 400V 20A 1,8V TO263 **


DeviceMart:
IGBT N-CH CLAMPED 20A D2PAK


Win Source:
IGBT 425V 40A 200W D2PAK


STGB20NB37LZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电流 20.0 A

耗散功率 200 W

连续漏极电流Ids 20.0 A

击穿电压集电极-发射极 425 V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGB20NB37LZT4
型号: STGB20NB37LZT4
描述:STGB20NB37LZ 系列 N沟道 425 V 20 A 内部钳位 PowerMESH IGBT-D2PAK
替代型号STGB20NB37LZT4
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