STMICROELECTRONICS STGF19NC60HD 单晶体管, IGBT, 16 A, 2.5 V, 35 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
IGBT 分立,STMicroelectronics
### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics
绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
得捷:
IGBT 600V 16A 32W TO220FP
欧时:
### IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
贸泽:
IGBT 晶体管 N-CHANNEL MFT
e络盟:
单晶体管, IGBT, 16 A, 2.5 V, 35 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
艾睿:
This powerful and secure STGF19NC60HD IGBT transistor from STMicroelectronics will make sure your circuit works properly. Its maximum power dissipation is 32000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.
富昌:
STGF19NC60HD 系列 600 V 16 A 法兰安装 超快 IGBT - TO-220FP
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
儒卓力:
**IGBT 600V 19A 1,6V TO-220FP **
DeviceMart:
IGBT N-CHAN 600V 16A TO-220FP
额定电压DC 600 V
额定电流 9.00 A
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 35 W
栅电荷 53.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 7.00 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 31 ns
额定功率Max 32 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 32 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, Power Management, Motor Drive & Control, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STGF19NC60HD ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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