STMICROELECTRONICS STGP19NC60HD 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.5 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
IGBT 分立,STMicroelectronics
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绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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STGP19NC60HD
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IGBT 600V 40A 130W TO220
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STMicroelectronics STGP19NC60HD N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
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DeviceMart:
IGBT VERY FAST 600V 40A TO-220
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IGBT 600V 40A 130W TO220
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 130 W
上升时间 7.00 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 31 ns
额定功率Max 130 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, Power Management, Motor Drive & Control, Power Management, Motor Drive & Control, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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