STGW20V60DF

IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立，STMicroelectronics

立创商城:
STGW20V60DF

欧时:
STMicroelectronics STGW20V60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装

得捷:
IGBT 600V 40A 167W TO247

贸泽:
IGBT Transistors 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

e络盟:
单晶体管, IGBT, 40 A, 1.8 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin TO-247

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

儒卓力:
**IGBT 600V 20A 1,8V TO247-3 **