STGW35HF60WD

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STGW35HF60WD概述

IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立,STMicroelectronics


得捷:
IGBT 600V 60A 200W TO-247


欧时:
IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


贸泽:
IGBT 晶体管 35 A 600 V Ultra fast IGBT


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
STGW35HF60WD Series 600 V 30 A Flange Mount Ultra Fast IGBT - TO-247


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 35A; 200W; TO247-3


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


DeviceMart:
IGBT 600V 60A 200W TO-247


Win Source:
IGBT 600V 60A 200W TO-247


STGW35HF60WD中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 24.45 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGW35HF60WD
型号: STGW35HF60WD
描述:IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
替代型号STGW35HF60WD
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STGW35HF60WD

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

IRG4PC50SDPBF

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