STGW30NC120HD

STMICROELECTRONICS  STGW30NC120HD  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

IGBT 分立，STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

得捷:
IGBT 1200V 60A 220W TO247

欧时:
STMicroelectronics STGW30NC120HD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装

e络盟:
单晶体管, IGBT, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 220000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

富昌:
STGW30NC120HD 系列 N 沟道 1200 V 30 A 极快速 PowerMESH IGBT - TO-247-3

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 220000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TME:
Transistor: IGBT; 1200V; 30A; 220W; TO247-3

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 220000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Newark:
IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins

儒卓力:
**IGBT 1200V 60A 2.75V TO247-3 **

DeviceMart:
IGBT N-CHAN 1200V 30A TO-247

Win Source:
IGBT 1200V 60A 220W TO247