STGW20NC60VD

STMICROELECTRONICS  STGW20NC60VD  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

IGBT 分立，STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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STGW20NC60VD

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IGBT 600V 60A 200W TO247

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贸泽:
IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 30 Amp

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

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STGW20NC60VD Series 600 V 30 A N-Channel Very Fast PowerMESH GBT - TO-247

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TME:
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3

Verical:
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Newark:
IGBT Single Transistor, 60 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

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**IGBT 600V 60A 2.5V TO247-3 **

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IGBT 600V 60A 200W TO247