STGW60H65DFB

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STGW60H65DFB概述

650V,80A,IGBT带二极管

IGBT 分立,STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


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IGBT 650V 80A 375W TO-247


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STGW60H65DFB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 375 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 375 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 375 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGW60H65DFB
型号: STGW60H65DFB
描述:650V,80A,IGBT带二极管
替代型号STGW60H65DFB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STGW60H65DFB

ST Microelectronics 意法半导体

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