STGWT60V60DF

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STGWT60V60DF概述

STGWT60V60DF 系列 600 V 60 A 高速 沟槽栅 场截止 IGBT - TO-3P

IGBT 分立,STMicroelectronics


得捷:
IGBT 600V 80A 375W TO3P


欧时:
STMicroelectronics STGWT60V60DF N沟道 IGBT, Vce=600 V, 60 A, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装


贸泽:
IGBT Transistors 600V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-PIn TO-3P Tube


富昌:
TO3P-3L


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


力源芯城:
600V,80A,IGBT


STGWT60V60DF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 375 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 74 ns

额定功率Max 375 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.7 mm

宽度 5.7 mm

高度 26.7 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGWT60V60DF
型号: STGWT60V60DF
描述:STGWT60V60DF 系列 600 V 60 A 高速 沟槽栅 场截止 IGBT - TO-3P

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