STGW35NB60SD

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STGW35NB60SD概述

STMICROELECTRONICS  STGW35NB60SD  单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

IGBT 分立,STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


得捷:
IGBT 600V 70A 200W TO247


欧时:
### IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


贸泽:
IGBT 晶体管 N Ch 35A 600V


e络盟:
单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
STGW35NB Series 600 V 35 A N-Channel Low Drop PowerMESH™ IGBT - TO-247


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 35A; 200W; TO247-3


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STGW35NB60SD  IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins


STGW35NB60SD中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 35.0 A

针脚数 3

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 70.0 A

上升时间 70 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 44 ns

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, Power Management, 维护与修理, 照明, Maintenance & Repair, Lighting, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STGW35NB60SD引脚图与封装图
STGW35NB60SD引脚图
STGW35NB60SD封装焊盘图
在线购买STGW35NB60SD
型号: STGW35NB60SD
描述:STMICROELECTRONICS  STGW35NB60SD  单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
替代型号STGW35NB60SD
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STGW35NB60SD

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

IRG4PC50SDPBF

国际整流器

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