STGFW20H65FB

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STGFW20H65FB概述

IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed

IGBT Trench Field Stop 650V 40A 52W Through Hole TO-3PF


得捷:
IGBT 650V 40A 52W TO3PF


贸泽:
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 52000mW 3-Pin3+Tab TO-3PF Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 3-Pin TO-3PF Tube


儒卓力:
**IGBT 650V 20A TO-3PF **


STGFW20H65FB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 52 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 52 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 52000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGFW20H65FB
型号: STGFW20H65FB
描述:IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed

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