STGW25H120F2

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STGW25H120F2概述

H 系列 1200 V 25 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-247

IGBT 沟槽型场截止 通孔 TO-247


得捷:
IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 3-Pin TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


STGW25H120F2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 375000 mW

输入电容 2010 pF

击穿电压集电极-发射极 1200 V

热阻 50 ℃/W

额定功率Max 375 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGW25H120F2
型号: STGW25H120F2
描述:H 系列 1200 V 25 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-247

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