







STMICROELECTRONICS STGW40M120DF3 单晶体管, IGBT, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
IGBT 沟槽型场截止 通孔 TO-247
得捷:
IGBT 1200V 80A 468W TO-247
e络盟:
单晶体管, IGBT, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 3-Pin TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STGW40M120DF3 IGBT Single Transistor, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
儒卓力:
**IGBT 1200V 40A 1,85V TO247-3 **
Win Source:
IGBT 1200V 80A 468W TO-247
针脚数 3
耗散功率 468 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 355 ns
额定功率Max 468 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 468000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 替代能源, Power Management, 维护与修理, 电源管理, Maintenance & Repair, 工业, Industrial, Alternative Energy
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99