STGW15H120DF2

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STGW15H120DF2概述

1200V,15A,H系列,高速沟槽型场截止IGBT

IGBT 沟槽型场截止 1200 V 30 A 259 W 通孔 TO-247


得捷:
IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 3-Pin TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


儒卓力:
**IGBT 1200V 30A 2,1V TO247-3 **


力源芯城:
1200V,15A,H系列,高速沟槽型场截止IGBT


STGW15H120DF2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 259000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 231 ns

额定功率Max 259 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 259000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGW15H120DF2
型号: STGW15H120DF2
描述:1200V,15A,H系列,高速沟槽型场截止IGBT
替代型号STGW15H120DF2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STGW15H120DF2

ST Microelectronics 意法半导体

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