STGWA40N120KD

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STGWA40N120KD概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 240000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT 1200V 80A 240W 通孔 TO-247


得捷:
IGBT 1200V 80A 240W TO247


贸泽:
IGBT Transistors 40A 1200V short circuit rugged IGBT


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 240000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Win Source:
IGBT 1200V 80A 240W TO247


STGWA40N120KD中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 240000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 84 ns

额定功率Max 240 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 240000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGWA40N120KD
型号: STGWA40N120KD
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 240000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube
替代型号STGWA40N120KD
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STGWA40N120KD

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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