STGW80V60F

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STGW80V60F概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

Use the IGBT transistor from STMicroelectronics as an electronic switch. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 469000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. It is made in a single configuration. This device utilizes field stop|trench technology.

STGW80V60F中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 469 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 469 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 469000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGW80V60F
型号: STGW80V60F
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

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