STGWA60NC60WDR

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STGWA60NC60WDR概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 130A 340000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT 600V 130A 340W Through Hole TO-247 Long Leads


得捷:
IGBT 600V 130A 340W TO247


贸泽:
IGBT Transistors 60A 600V UF IGBT PowerMESH High Freq


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 130A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 130A 340000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


DeviceMart:
IGBT 130A 600V TO-247


STGWA60NC60WDR中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 42 ns

额定功率Max 340 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: STGWA60NC60WDR
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 130A 340000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

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