STGWA80H65DFB

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STGWA80H65DFB概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT 沟槽型场截止 通孔 TO-247 长引线


得捷:
IGBT BIPO 650V 80A TO247-3


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


儒卓力:
**IGBT 650V 80A 1,8V TO247 long D **


STGWA80H65DFB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 469000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 85 ns

额定功率Max 469 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 470000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGWA80H65DFB
型号: STGWA80H65DFB
描述:Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube
替代型号STGWA80H65DFB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STGWA80H65DFB

ST Microelectronics 意法半导体

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