STGW25M120DF3

STGW25M120DF3图片1
STGW25M120DF3图片2
STGW25M120DF3图片3
STGW25M120DF3图片4
STGW25M120DF3图片5
STGW25M120DF3图片6
STGW25M120DF3图片7
STGW25M120DF3图片8
STGW25M120DF3图片9
STGW25M120DF3图片10
STGW25M120DF3图片11
STGW25M120DF3概述

STMICROELECTRONICS  STGW25M120DF3  单晶体管, IGBT, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

IGBT 沟槽型场截止 1200 V 50 A 375 W 通孔 TO-247-3


得捷:
IGBT 1200V 50A 375W


e络盟:
单晶体管, IGBT, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 3-Pin TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STGW25M120DF3  IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins


儒卓力:
**IGBT 1200V 25A 1,85V TO247-3 **


ICbanQ:
STMicroelectronics IGBT Transistors


STGW25M120DF3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 375 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 265 ns

额定功率Max 375 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STGW25M120DF3引脚图与封装图
STGW25M120DF3引脚图
STGW25M120DF3封装图
STGW25M120DF3封装焊盘图
在线购买STGW25M120DF3
型号: STGW25M120DF3
描述:STMICROELECTRONICS  STGW25M120DF3  单晶体管, IGBT, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
替代型号STGW25M120DF3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STGW25M120DF3

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

HGTG18N120BND

飞兆/仙童

功能相似

STGW25M120DF3和HGTG18N120BND的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台