STGW60H65DF

STGW60H65DF图片1
STGW60H65DF图片2
STGW60H65DF图片3
STGW60H65DF图片4
STGW60H65DF图片5
STGW60H65DF概述

STGW60H65DF 系列 650 V 120 A 场截止 沟道栅 IGBT - TO-247-3

The IGBT transistor from STMicroelectronics is the best electronic switch for fast switching. It has a maximum collector emitter voltage of 350 V. Its maximum power dissipation is 360000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

STGW60H65DF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 360 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 62 ns

额定功率Max 360 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGW60H65DF
型号: STGW60H65DF
描述:STGW60H65DF 系列 650 V 120 A 场截止 沟道栅 IGBT - TO-247-3

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司