STGB19NC60HDT4

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STGB19NC60HDT4概述

STGB19NC60H 系列 600 V 19 A 耐短路 IGBT 表面贴装 - D2PAK

You won"t need to worry about any lagging in your circuit with this IGBT transistor from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 130000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

STGB19NC60HDT4中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 130000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 31 ns

额定功率Max 130 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 130000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGB19NC60HDT4
型号: STGB19NC60HDT4
描述:STGB19NC60H 系列 600 V 19 A 耐短路 IGBT 表面贴装 - D2PAK
替代型号STGB19NC60HDT4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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