STGP19NC60SD

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STGP19NC60SD概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 125000mW 3Pin3+Tab TO-220 Tube

IGBT - 600 V 40 A 130 W 通孔 TO-220


得捷:
IGBT 600V 40A 130W TO220


立创商城:
STGP19NC60SD


艾睿:
The STGP19NC60SD IGBT transistor from STMicroelectronics is the best electronic switch for fast switching. Its maximum power dissipation is 125000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


富昌:
STGP19NC60SD 系列 600 V 40 A 超快 IGBT 法兰安装 - TO-220


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 125000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


DeviceMart:
IGBT N-CH 600V 20A TO-220


STGP19NC60SD中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 125000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 31 ns

额定功率Max 130 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGP19NC60SD
型号: STGP19NC60SD
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 125000mW 3Pin3+Tab TO-220 Tube
替代型号STGP19NC60SD
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