STGB8NC60KT4

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STGB8NC60KT4概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R

IGBT - 表面贴装型 D2PAK


得捷:
IGBT 600V 15A 65W D2PAK


贸泽:
IGBT Transistors N Ch 1000V 2.5A Pwr MOSFET


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


STGB8NC60KT4中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 65 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGB8NC60KT4
型号: STGB8NC60KT4
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R

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