STGP30NC60K

STGP30NC60K图片1
STGP30NC60K图片2
STGP30NC60K图片3
STGP30NC60K图片4
STGP30NC60K图片5
STGP30NC60K概述

30 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

IGBT - 600 V 60 A 185 W 通孔 TO-220AB


得捷:
IGBT 600V 60A 185W TO220AB


艾睿:
Use the STGP30NC60K IGBT transistor from STMicroelectronics as an electronic switch. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 185000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


DeviceMart:
IGBT 30A 600V TO-220AB


STGP30NC60K中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 185000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 185 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 185000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGP30NC60K
型号: STGP30NC60K
描述:30 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
替代型号STGP30NC60K
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STGP30NC60K

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STGP20NC60V

意法半导体

类似代替

STGP30NC60K和STGP20NC60V的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台