Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 60000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R
IGBT - 600 V 18 A 60 W 表面贴装型 DPAK
得捷:
IGBT 600V 18A 60W DPAK
贸泽:
IGBT Transistors 10 A-600 V fast IGBT
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 60000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
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Chip1Stop:
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Verical:
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Win Source:
IGBT 600V 18A 60W DPAK
耗散功率 60000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 22 ns
额定功率Max 60 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99