STGP20V60DF

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STGP20V60DF概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin TO-220

The IGBT transistor from STMicroelectronics is perfect to use as an electronic switch eliminating the current at the gate. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.

STGP20V60DF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 167 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 40 ns

额定功率Max 167 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STGP20V60DF引脚图与封装图
STGP20V60DF引脚图
STGP20V60DF封装焊盘图
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型号: STGP20V60DF
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin TO-220

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