SGF23N60UFTU

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SGF23N60UFTU概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 75000mW 3Pin3+Tab TO-3pF Rail

IGBT 600V 23A 75W Through Hole TO-3PF


得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail


Win Source:
IGBT 600V 23A 75W TO3PF


SGF23N60UFTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 12.0 A

耗散功率 75 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 16.7 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SGF23N60UFTU
型号: SGF23N60UFTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 75000mW 3Pin3+Tab TO-3pF Rail
替代型号SGF23N60UFTU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SGF23N60UFTU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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