STGB35N35LZ-1

STGB35N35LZ-1图片1
STGB35N35LZ-1图片2
STGB35N35LZ-1概述

IGBT 晶体管 345V INTERNALLY CLAMPED IGBT

IGBT - 345 V 40 A 176 W 通孔 I2PAK(TO-262)


得捷:
IGBT 345V 40A 176W I2PAK


贸泽:
IGBT 晶体管 345V INTERNALLY CLAMPED IGBT


艾睿:
Minimize the current at your gate with the STGB35N35LZ-1 IGBT transistor from STMicroelectronics. It has a maximum collector emitter voltage of 380 V. Its maximum power dissipation is 176000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. It is made in a single configuration.


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 380V 40A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


DeviceMart:
IGBT CLAMPED 40A 176W I2PAK


Win Source:
IGBT 345V 40A 176W I2PAK


STGB35N35LZ-1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 176000 mW

击穿电压集电极-发射极 345 V

额定功率Max 176 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 176 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGB35N35LZ-1
型号: STGB35N35LZ-1
描述:IGBT 晶体管 345V INTERNALLY CLAMPED IGBT
替代型号STGB35N35LZ-1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STGB35N35LZ-1

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STGB35N35LZT4

意法半导体

功能相似

STGB35N35LZ-1和STGB35N35LZT4的区别

STGP35N35LZ

意法半导体

功能相似

STGB35N35LZ-1和STGP35N35LZ的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司