STGB30V60DF

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STGB30V60DF概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin D2PAK T/R

The IGBT transistor from STMicroelectronics will work effectively even with higher currents. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.

STGB30V60DF中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 53 ns

额定功率Max 258 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGB30V60DF
型号: STGB30V60DF
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin D2PAK T/R

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