STGP10H60DF

IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立，STMicroelectronics

得捷:
IGBT 600V 20A 115W TO220

欧时:
STMicroelectronics STGP10H60DF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin TO-220 Tube

富昌:
H Series 600 V 20 A Through Hole Silicon IGBT - TO-220-3

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube