STMICROELECTRONICS STGP10NB60S 单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
IGBT - 通孔 TO-220AB
得捷:
IGBT 600V 29A 80W TO220
贸泽:
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 10 Amp
e络盟:
单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
IGBT Single Transistor, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3
儒卓力:
**IGBT 600V 20A 1.7V TO220-3 **
DeviceMart:
IGBT N-CHAN 10A 600V TO-220
额定电压DC 600 V
额定电流 10.0 A
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 80 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 80 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 80000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
STGP10NB60S ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STGP8NC60KD 意法半导体 | 类似代替 | STGP10NB60S和STGP8NC60KD的区别 |
IRG4PC50FPBF 英飞凌 | 功能相似 | STGP10NB60S和IRG4PC50FPBF的区别 |
IRG4PC40WPBF 英飞凌 | 功能相似 | STGP10NB60S和IRG4PC40WPBF的区别 |