STGB15H60DF

IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立，STMicroelectronics

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600V IGBT

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IGBT 600V 30A 115W D2PAK

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STMicroelectronics STGB15H60DF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

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IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin D2PAK T/R

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R