STGFW40H65FB参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGFW40H65FB概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 62500mW 3Pin3+Tab TO-3pF Tube

IGBT 沟槽型场截止通孔 TO-3PF-3

得捷:
IGBT HB 650V 40A ISOWATT218

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 62500mW 3-Pin3+Tab TO-3PF Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-3PF Tube

STGFW40H65FB中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 62500 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 62.5 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGFW40H65FB

型号： STGFW40H65FB

描述：Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 62500mW 3Pin3+Tab TO-3pF Tube