







STGW19NC60HD 系列 42 A 600 V 极快速 IGBT 带超快恢复二极管 - TO-247
The IGBT transistor from STMicroelectronics is the best electronic switch for fast switching. Its maximum power dissipation is 140000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.
针脚数 3
耗散功率 140 W
输入电容 1180 pF
击穿电压集电极-发射极 600 V
热阻 50 ℃/W
反向恢复时间 31 ns
额定功率Max 140 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STGW19NC60HD ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STGW19NC60H 意法半导体 | 完全替代 | STGW19NC60HD和STGW19NC60H的区别 |
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