STGP7NC60HD

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STGP7NC60HD概述

STMICROELECTRONICS  STGP7NC60HD  单晶体管, IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

IGBT 分立,STMicroelectronics


欧时:
### IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


得捷:
IGBT 600V 25A 80W TO220


立创商城:
STGP7NC60HD


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; TO220AB


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
IGBT Single Transistor, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3


儒卓力:
**IGBT 600V 25A 2.5V TO220-3 **


力源芯城:
25A,600V,快速IGBT带超快二极管


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IGBT N-CHAN 14A 600V TO-220


Win Source:
IGBT 600V 25A 80W TO220


STGP7NC60HD中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 14.0 A

针脚数 3

极性 N-Channel

耗散功率 80 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

上升时间 7 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 37 ns

额定功率Max 80 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 80000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电机驱动与控制, Power Management, Motor Drive & Control, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STGP7NC60HD引脚图与封装图
STGP7NC60HD引脚图
STGP7NC60HD封装图
STGP7NC60HD封装焊盘图
在线购买STGP7NC60HD
型号: STGP7NC60HD
描述:STMICROELECTRONICS  STGP7NC60HD  单晶体管, IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
替代型号STGP7NC60HD
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STGP7NC60HD

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

HGTP7N60A4

飞兆/仙童

功能相似

STGP7NC60HD和HGTP7N60A4的区别

HGTP7N60C3D

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STGP7NC60HD和HGTP7N60C3D的区别

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